Компания Samsung Electronics вновь возвращается к технологии высокопроизводительных накопителей Z-NAND, после многолетнего перерыва, который продлился около семи лет. Объявление о возобновлении разработки и массовом производстве новых решений вызвало значительный интерес в области высоких технологий, особенно среди специалистов, занимающихся системами искусственного интеллекта и большими данными. Новая генерация Z-NAND предназначена для эффективной работы в инфраструктуре центров обработки данных, где критически важна скорость и стабильность хранения информации. В отличие от предыдущих версий, новые Z-NAND накопители обещают кардинально изменить подход к хранению и обработке данных, обеспечивая значительно более высокую скорость доступа и меньшие затраты энергии.
Основное преимущество обновленной технологии — это возможность обеспечить до 15-кратного прироста скорости по сравнению с современными NVMe SSD, что делает ее привлекательной для задач, связанных с машинным обучением, аналитикой больших данных и запуском сложных алгоритмов ИИ. Одной из ключевых особенностей новых Z-NAND накопителей является снижение энергопотребления до 80%, что особенно важно для дата-центров, стремящихся к экологически чистым и экономичным решениям. Такое снижение затрат энергии позволяет снизить операционные расходы, связанных с охлаждением и энергоснабжением, что в конечном итоге повышает общую эффективность инфраструктуры.
Особое значение придается внедрению технологии GPU-Initiated Direct Storage Access или GIDS. Эта инновационная функция позволяет графическим процессорам напрямую обращаться к данным на накопителях, минуя центральный процессор и оперативную память. Такой подход кардинально сокращает задержки при передаче данных и повышает пропускную способность, что является критическим для современных задач, требующих мгновенного доступа к большому объему информации в реальном времени. В основе технологии лежит использование нативной памяти V-NAND с уменьшенными размерами страниц — от 2 до 4 КБ, что ускоряет обработку небольших блоков данных и способствует значительно более высокой скорости работы всей системы.
Появление Z-NAND во многом связано с эволюцией технологического конкурента Intel 3D XPoint, известной под брендом Optane. Изначально решения на базе 3D XPoint позиционировались как промежуточный уровень скорости и цены между DRAM и традиционными NAND SSD, что делало их особенно привлекательными для серверных решений. Однако после прекращения разработки Optane, рынок остался без этого уникального продукта, что создало хорошие возможности для другого крупного игрока — Samsung. Компания рассматривает новые Z-NAND накопители как шанс занять свою нишу в быстроразвивающейся сфере с огромным потенциалом роста благодаря экспоненциальному развитию технологий искусственного интеллекта. В конечном итоге, внедрение передовых решений на базе Z-NAND будет способствовать развитию высокопроизводительных систем хранения данных и поможет ускорить процессы обучения нейросетей, анализа данных и проведения научных исследований, что в ближайшие годы станет одним из ключевых факторов технологического прогресса.
